一种硅衬底的氮化镓芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121387928.1

申请日：

2021-06-22

公开(公告)号：

CN214672678U

公开(公告)日：

2021-11-09

发明(设计)人：

丁一仙莫超华

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区西乡街道新安第二工业区C11栋三楼3H

IPC主分类号：

H01L3364

IPC分类号：

代理机构：

北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616

代理人：

倪建娣

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硅衬底的氮化镓芯片 [P].

张江鹏 ;

路立峰 ;

唐兰香 ;

甘琨 ;

高建海 .

中国专利 :CN209880591U ,2019-12-31

[2]

一种陶瓷衬底的氮化镓芯片 [P].

唐兰香 ;

宋士增 ;

甘琨 ;

孟立智 ;

李会杰 .

中国专利 :CN209880585U ,2019-12-31

[3]

陶瓷衬底的氮化镓基芯片 [P].

金木子 ;

彭刚 .

中国专利 :CN202058735U ,2011-11-30

[4]

一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构 [P].

王洪 ;

方溢 ;

王楷 ;

沈霈 ;

陈玲 .

中国专利 :CN221239616U ,2024-06-28

[5]

一种基于硅衬底的硅基氮化镓材料外延结构 [P].

吴义针 ;

汪连山 ;

麻胜恒 ;

孙文红 ;

陈福鑫 .

中国专利 :CN120129274A ,2025-06-10

[6]

硅衬底上氮化镓生长方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103137446A ,2013-06-05

[7]

用于AC LED的硅衬底上的氮化镓LED与氮化铝镓/氮化镓器件的集成 [P].

T.钟 .

中国专利 :CN104170089B ,2014-11-26

[8]

一种氮化镓图形衬底 [P].

傅华 ;

吴思 ;

蔡金 ;

王辉 ;

王怀兵 .

中国专利 :CN203300686U ,2013-11-20

[9]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106536794B ,2017-03-22

[10]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106574398B ,2017-04-19

← 1 2 3 4 5 →