陶瓷衬底的氮化镓基芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020574260.7

申请日：

2010-10-17

公开(公告)号：

CN202058735U

公开(公告)日：

2011-11-30

发明(设计)人：

金木子彭刚

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区北京大学燕东园33楼112号

IPC主分类号：

H01L2902

IPC分类号：

H01L2102 H01L3302

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101690358474 IPC(主分类):H01L 29/02 专利号:ZL2010205742607 申请日:20101017 授权公告日:20111130 终止日期:20151017
2011-11-30	授权	授权

共 50 条

[1]

陶瓷衬底的氮化镓基芯片及制造方法 [P].

金木子 ;

彭刚 .

中国专利 :CN102456721A ,2012-05-16

[2]

一种陶瓷衬底的氮化镓芯片 [P].

唐兰香 ;

宋士增 ;

甘琨 ;

孟立智 ;

李会杰 .

中国专利 :CN209880585U ,2019-12-31

[3]

氮化镓基倒装LED芯片 [P].

田洪涛 ;

陈祖辉 .

中国专利 :CN205488192U ,2016-08-17

[4]

复合式氮化镓基半导体生长衬底 [P].

庄家铭 ;

王振祖 ;

黄惠葵 ;

范慧丽 .

中国专利 :CN202549913U ,2012-11-21

[5]

一种硅衬底的氮化镓芯片 [P].

张江鹏 ;

路立峰 ;

唐兰香 ;

甘琨 ;

高建海 .

中国专利 :CN209880591U ,2019-12-31

[6]

一种硅衬底的氮化镓芯片 [P].

丁一仙 ;

莫超华 .

中国专利 :CN214672678U ,2021-11-09

[7]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106536794B ,2017-03-22

[8]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106574398B ,2017-04-19

[9]

氮化镓衬底 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN102031564A ,2011-04-27

[10]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN110042471B ,2019-07-23

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