氮化镓衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010194965.0

申请日：

2010-05-31

公开(公告)号：

CN102031564A

公开(公告)日：

2011-04-27

发明(设计)人：

八乡昭广

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

樊卫民;郭国清

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101602804027 IPC(主分类):C30B 29/40 专利申请号:2010101949650 申请公布日:20110427
2011-04-27	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106536794B ,2017-03-22

[2]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106574398B ,2017-04-19

[3]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN110042471B ,2019-07-23

[4]

氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN100580909C ,2007-09-19

[5]

同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底 [P].

王元刚 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

张志荣 ;

周幸叶 ;

谭鑫 ;

宋旭波 ;

梁士雄 .

中国专利 :CN110797259B ,2020-02-14

[6]

氮化镓衬底和氮化镓膜淀积方法 [P].

中畑成二 .

中国专利 :CN101311379A ,2008-11-26

[7]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264A ,2022-08-12

[8]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN115233309B ,2024-01-12

[9]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264B ,2024-03-05

[10]

氮化镓晶体衬底 [P].

冈久拓司 ;

元木健作 ;

上松康二 ;

中畑成二 ;

弘田龙 ;

井尻英幸 ;

笠井仁 ;

藤田俊介 ;

佐藤史隆 ;

松冈彻 .

中国专利 :CN101805928A ,2010-08-18

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