氮化镓衬底和氮化镓膜淀积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810092858.X

申请日：

2008-05-04

公开(公告)号：

CN101311379A

公开(公告)日：

2008-11-26

发明(设计)人：

中畑成二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B2940 C30B2520 H01L21205

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

梁晓广;陆锦华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-26	公开	公开
2010-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001455810 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:200810092858X 申请日:20080504
2013-02-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101523597102 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:200810092858X 申请公布日:20081126

共 50 条

[1]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106536794B ,2017-03-22

[2]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106574398B ,2017-04-19

[3]

氮化镓衬底 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN102031564A ,2011-04-27

[4]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN110042471B ,2019-07-23

[5]

氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN100580909C ,2007-09-19

[6]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264A ,2022-08-12

[7]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN115233309B ,2024-01-12

[8]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264B ,2024-03-05

[9]

同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底 [P].

王元刚 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

张志荣 ;

周幸叶 ;

谭鑫 ;

宋旭波 ;

梁士雄 .

中国专利 :CN110797259B ,2020-02-14

[10]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓衬底的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN101918625A ,2010-12-15

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