一种在非金属衬底上生长磷烯的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510792518.1

申请日：

2025-06-13

公开(公告)号：

CN120719392A

公开(公告)日：

2025-09-30

发明(设计)人：

张伟曹水艳孙向楠赵晓明郭万林

申请人：

南京航空航天大学

申请人地址：

210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

C30B29/06 C30B29/02 C30B33/02 C23C14/18 C23C14/24 C23C14/58

代理机构：

江苏圣典律师事务所 32237

代理人：

刘辉

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	公开	公开
2025-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/18申请日:20250613

共 50 条

[1]

一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法 [P].

孙捷 ;

樊星 ;

许坤 ;

郭伟玲 ;

徐晨 ;

邓军 .

中国专利 :CN104900497A ,2015-09-09

[2]

一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法 [P].

芦红 ;

苗艺 ;

魏炼 ;

叶佳佳 ;

宋欢欢 ;

陈延峰 .

中国专利 :CN109166788A ,2019-01-08

[3]

一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法 [P].

孙捷 ;

樊星 ;

许坤 ;

郭伟玲 ;

徐晨 ;

邓军 .

中国专利 :CN105836733A ,2016-08-10

[4]

在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN102560634A ,2012-07-11

[5]

在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 [P].

崔军朋 ;

段垚 ;

王晓峰 ;

曾一平 .

中国专利 :CN101388345B ,2009-03-18

[6]

在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法 [P].

张曙光 ;

林早阳 ;

李国强 ;

徐珍珠 .

中国专利 :CN109767972A ,2019-05-17

[7]

一种在云母衬底上生长单晶γ相硒化铟薄膜的方法 [P].

李含冬 ;

尹锡波 ;

徐超凡 ;

贺靖 ;

姬海宁 ;

牛晓滨 ;

王志明 .

中国专利 :CN110335809A ,2019-10-15

[8]

一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法 [P].

李含冬 ;

张忠阳 ;

王志明 ;

任武洋 ;

李勇 ;

龙城佳 ;

周志华 ;

姬海宁 ;

牛晓滨 .

中国专利 :CN106702482B ,2017-05-24

[9]

一种利用PEALD在硅衬底上生长石墨烯的方法 [P].

余学功 ;

丛靖昆 ;

黄琨 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN110323127B ,2019-10-11

[10]

在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法 [P].

牛智川 ;

李农 ;

刘冰 ;

徐应强 ;

王国伟 ;

蒋洞微 ;

吴东海 ;

郝宏玥 ;

赵有文 ;

朱小贵 ;

何胜 .

中国专利 :CN113358677B ,2021-09-07

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