在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811524550.8

申请日：

2018-12-13

公开(公告)号：

CN109767972A

公开(公告)日：

2019-05-17

发明(设计)人：

张曙光林早阳李国强徐珍珠

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L310304 H01L3330 B82Y1000 B82Y3000

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

王东东

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20181213
2019-05-17	公开	公开
2021-05-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低温下生长GaAs纳米线的方法 [P].

张曙光 ;

林早阳 .

中国专利 :CN109801835A ,2019-05-24

[2]

在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 [P].

赵建华 ;

王思亮 ;

俞学哲 ;

王海龙 .

中国专利 :CN102569034A ,2012-07-11

[3]

在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN102560634A ,2012-07-11

[4]

在衬底上生长GaN平面纳米线的方法 [P].

伊晓燕 ;

伍绍腾 ;

刘志强 ;

黄洋 ;

程成 ;

王蕴玉 ;

綦成林 .

中国专利 :CN107881554A ,2018-04-06

[5]

在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 [P].

苏少坚 ;

汪巍 ;

成步文 ;

王启明 ;

张广泽 ;

胡炜玄 ;

白安琪 ;

薛春来 ;

左玉华 .

中国专利 :CN101962802A ,2011-02-02

[6]

生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

温雷 ;

高芳亮 ;

张曙光 ;

李景灵 ;

管云芳 .

中国专利 :CN104835718B ,2015-08-12

[7]

硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法 [P].

杨涛 ;

王小耶 .

中国专利 :CN103794474A ,2014-05-14

[8]

生长在Si衬底上的GaAs薄膜及制备方法 [P].

李国强 ;

温雷 ;

高芳亮 ;

张曙光 ;

李景灵 ;

龚振远 .

中国专利 :CN105140104B ,2015-12-09

[9]

Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法 [P].

陈平平 ;

卢振宇 ;

陆卫 ;

石遂兴 ;

周孝好 .

中国专利 :CN103320866B ,2013-09-25

[10]

一种在Si基片上外延生长GaAs薄膜的方法 [P].

赵志飞 ;

李新华 ;

文龙 ;

郭浩民 ;

步绍姜 .

中国专利 :CN102618922A ,2012-08-01

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