硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410043865.6

申请日：

2014-01-29

公开(公告)号：

CN103794474A

公开(公告)日：

2014-05-14

发明(设计)人：

杨涛王小耶

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

宋焰琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582900594 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014100438656 申请日:20140129
2014-05-14	公开	公开
2016-12-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回专利申请号:2014100438656 申请公布日:20140514 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101743796566 IPC(主分类):H01L 21/02

共 50 条

[1]

在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法 [P].

张曙光 ;

林早阳 ;

李国强 ;

徐珍珠 .

中国专利 :CN109767972A ,2019-05-17

[2]

在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 [P].

赵建华 ;

王思亮 ;

俞学哲 ;

王海龙 .

中国专利 :CN102569034A ,2012-07-11

[3]

硅衬底上立式GaSb纳米线及其制备方法 [P].

潘东 ;

文炼均 ;

赵建华 .

中国专利 :CN110504159B ,2019-11-26

[4]

在衬底上生长GaN平面纳米线的方法 [P].

伊晓燕 ;

伍绍腾 ;

刘志强 ;

黄洋 ;

程成 ;

王蕴玉 ;

綦成林 .

中国专利 :CN107881554A ,2018-04-06

[5]

在衬底上制备GaN纳米线的方法 [P].

刘志强 ;

伍绍腾 ;

伊晓燕 ;

黄洋 ;

程成 ;

王蕴玉 ;

綦成林 .

中国专利 :CN107910243A ,2018-04-13

[6]

替代衬底及使用该替代衬底的衬底处理方法 [P].

石原宪一 .

中国专利 :CN1674225A ,2005-09-28

[7]

包含纳米线的衬底 [P].

马克西姆·哈洛特 ;

凯文·罗伯特 ;

弗洛朗·马尔莱克 ;

布什哈·阿斯巴尼 ;

克里斯托夫·勒蒂安 ;

帕斯卡·鲁塞尔 ;

博泰娜·布诺尔 .

法国专利 :CN120418913A ,2025-08-01

[8]

一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法 [P].

范春晖 .

中国专利 :CN102496563A ,2012-06-13

[9]

一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法 [P].

范春晖 ;

王全 .

中国专利 :CN103021806A ,2013-04-03

[10]

锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底 [P].

魏星 ;

薛忠营 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102386068B ,2012-03-21

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