在衬底上生长GaN平面纳米线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710969739.7

申请日：

2017-10-18

公开(公告)号：

CN107881554A

公开(公告)日：

2018-04-06

发明(设计)人：

伊晓燕伍绍腾刘志强黄洋程成王蕴玉綦成林

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2938 C30B2960 B82Y4000

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤宝平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/02 申请日:20171018
2020-08-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 25/02 申请公布日:20180406
2018-04-06	公开	公开

共 50 条

[1]

在衬底上制备GaN纳米线的方法 [P].

刘志强 ;

伍绍腾 ;

伊晓燕 ;

黄洋 ;

程成 ;

王蕴玉 ;

綦成林 .

中国专利 :CN107910243A ,2018-04-13

[2]

在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法 [P].

张曙光 ;

林早阳 ;

李国强 ;

徐珍珠 .

中国专利 :CN109767972A ,2019-05-17

[3]

GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线 [P].

刘志强 ;

闫岩 ;

张硕 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN115369379A ,2022-11-22

[4]

GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线 [P].

刘志强 ;

闫岩 ;

张硕 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN115369379B ,2024-05-03

[5]

硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法 [P].

杨涛 ;

王小耶 .

中国专利 :CN103794474A ,2014-05-14

[6]

在金属片衬底上生长的GaN纳米线光催化材料及制备方法和应用 [P].

喻彬璐 ;

王德法 ;

叶金花 .

中国专利 :CN107185578A ,2017-09-22

[7]

在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 [P].

赵建华 ;

王思亮 ;

俞学哲 ;

王海龙 .

中国专利 :CN102569034A ,2012-07-11

[8]

衬底的制备方法及其在纳米线生长中的应用 [P].

张运炎 ;

程志渊 ;

陈洲翔 ;

张林君 ;

褚衍盟 .

中国专利 :CN118692908A ,2024-09-24

[9]

一种GaN纳米线的生长方法 [P].

李述体 ;

刁家声 ;

王幸福 .

中国专利 :CN103757693A ,2014-04-30

[10]

在金属衬底上定向生长一维无机纳米线阵列的方法 [P].

张晓宏 ;

王建涛 ;

王辉 ;

欧雪梅 ;

李述汤 .

中国专利 :CN102092677B ,2011-06-15

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