在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210033519.0

申请日：

2012-02-15

公开(公告)号：

CN102569034A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

赵建华王思亮俞学哲王海龙

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722806370 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2012100335190 申请公布日:20120711
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324737041 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2012100335190 申请日:20120215
2012-07-11	公开	公开

共 50 条

[1]

在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法 [P].

张曙光 ;

林早阳 ;

李国强 ;

徐珍珠 .

中国专利 :CN109767972A ,2019-05-17

[2]

硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法 [P].

杨涛 ;

王小耶 .

中国专利 :CN103794474A ,2014-05-14

[3]

在衬底上生长GaN平面纳米线的方法 [P].

伊晓燕 ;

伍绍腾 ;

刘志强 ;

黄洋 ;

程成 ;

王蕴玉 ;

綦成林 .

中国专利 :CN107881554A ,2018-04-06

[4]

在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法 [P].

牛智川 ;

李农 ;

刘冰 ;

徐应强 ;

王国伟 ;

蒋洞微 ;

吴东海 ;

郝宏玥 ;

赵有文 ;

朱小贵 ;

何胜 .

中国专利 :CN113358677B ,2021-09-07

[5]

在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 [P].

崔军朋 ;

段垚 ;

王晓峰 ;

曾一平 .

中国专利 :CN101388346A ,2009-03-18

[6]

直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 [P].

杜文娜 ;

杨晓光 ;

王小耶 ;

杨涛 ;

王占国 .

中国专利 :CN103938178A ,2014-07-23

[7]

在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 [P].

苏少坚 ;

汪巍 ;

成步文 ;

王启明 ;

张广泽 ;

胡炜玄 ;

白安琪 ;

薛春来 ;

左玉华 .

中国专利 :CN101962802A ,2011-02-02

[8]

在衬底上制备GaN纳米线的方法 [P].

刘志强 ;

伍绍腾 ;

伊晓燕 ;

黄洋 ;

程成 ;

王蕴玉 ;

綦成林 .

中国专利 :CN107910243A ,2018-04-13

[9]

Si衬底上生长ZnO外延薄膜的方法 [P].

叶志镇 ;

潘新花 .

中国专利 :CN101748480A ,2010-06-23

[10]

用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法 [P].

唐吉龙 ;

方铉 ;

魏志鹏 ;

高娴 ;

陈芳 ;

房丹 ;

李金华 ;

楚学影 ;

方芳 ;

王晓华 ;

王菲 .

中国专利 :CN105019027B ,2015-11-04

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