在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110628108.5

申请日：

2021-06-06

公开(公告)号：

CN113358677B

公开(公告)日：

2021-09-07

发明(设计)人：

牛智川李农刘冰徐应强王国伟蒋洞微吴东海郝宏玥赵有文朱小贵何胜

申请人：

申请人地址：

210008 江苏省南京市浦口区桥林街道步月路29号12幢554室

IPC主分类号：

G01N2320058

IPC分类号：

代理机构：

成都市熠图知识产权代理有限公司 51290

代理人：

兰小平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-07	公开	公开
2022-09-02	授权	授权
2021-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 23/20058 申请日:20210606

共 50 条

[1]

一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法 [P].

祝连庆 ;

陈雨豪 ;

鹿利单 ;

董明利 ;

何彦霖 ;

陈伟强 ;

张旭 .

中国专利 :CN117779188A ,2024-03-29

[2]

在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 [P].

赵建华 ;

王思亮 ;

俞学哲 ;

王海龙 .

中国专利 :CN102569034A ,2012-07-11

[3]

在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN102560634A ,2012-07-11

[4]

在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法 [P].

张曙光 ;

林早阳 ;

李国强 ;

徐珍珠 .

中国专利 :CN109767972A ,2019-05-17

[5]

一种InAs/GaSb超晶格生长方法 [P].

胡雨农 ;

周朋 ;

邢伟荣 ;

刘铭 .

中国专利 :CN114457419A ,2022-05-10

[6]

在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 [P].

苏少坚 ;

汪巍 ;

成步文 ;

王启明 ;

张广泽 ;

胡炜玄 ;

白安琪 ;

薛春来 ;

左玉华 .

中国专利 :CN101962802A ,2011-02-02

[7]

用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法 [P].

唐吉龙 ;

方铉 ;

魏志鹏 ;

高娴 ;

陈芳 ;

房丹 ;

李金华 ;

楚学影 ;

方芳 ;

王晓华 ;

王菲 .

中国专利 :CN105019027B ,2015-11-04

[8]

一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法 [P].

芦红 ;

苗艺 ;

魏炼 ;

叶佳佳 ;

宋欢欢 ;

陈延峰 .

中国专利 :CN109166788A ,2019-01-08

[9]

Si衬底上生长ZnO外延薄膜的方法 [P].

叶志镇 ;

潘新花 .

中国专利 :CN101748480A ,2010-06-23

[10]

一种在非金属衬底上生长磷烯的方法 [P].

张伟 ;

曹水艳 ;

孙向楠 ;

赵晓明 ;

郭万林 .

中国专利 :CN120719392A ,2025-09-30

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