一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311802994.4

申请日：

2023-12-26

公开(公告)号：

CN117779188A

公开(公告)日：

2024-03-29

发明(设计)人：

祝连庆陈雨豪鹿利单董明利何彦霖陈伟强张旭

申请人：

北京信息科技大学

申请人地址：

100085 北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

C30B25/16 C30B29/68 C30B29/40 H01L31/0352 H01L31/0304 H01L31/18

代理机构：

北京恒律知识产权代理有限公司 11416

代理人：

庞立岩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/18申请日:20231226
2024-03-29	公开	公开

共 50 条

[1]

InAs/GaSbⅡ类超晶格 [P].

曹耀辉 ;

陈建桥 .

中国专利 :CN207282503U ,2018-04-27

[2]

一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 [P].

郭晓璐 ;

马文全 ;

张艳华 .

中国专利 :CN103233271A ,2013-08-07

[3]

在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法 [P].

牛智川 ;

李农 ;

刘冰 ;

徐应强 ;

王国伟 ;

蒋洞微 ;

吴东海 ;

郝宏玥 ;

赵有文 ;

朱小贵 ;

何胜 .

中国专利 :CN113358677B ,2021-09-07

[4]

一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法及InAs/GaSb超晶格 [P].

祝连庆 ;

刘昭君 ;

张东亮 ;

柳渊 ;

鹿利单 ;

郑显通 .

中国专利 :CN115732594B ,2024-04-12

[5]

一种InAs/GaSb超晶格生长方法 [P].

胡雨农 ;

周朋 ;

邢伟荣 ;

刘铭 .

中国专利 :CN114457419A ,2022-05-10

[6]

InAs/GaSb超晶格电子结构的设计方法 [P].

李美成 ;

熊敏 .

中国专利 :CN102436532A ,2012-05-02

[7]

InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品 [P].

宋国峰 ;

于海龙 ;

吴浩越 ;

徐云 ;

朱海军 .

中国专利 :CN105932106B ,2016-09-07

[8]

一种InAs/GaSb超晶格材料及其外延生长方法 [P].

刘永锋 ;

朱赫 ;

吴佳 ;

周文洪 ;

黄晟 ;

黄立 .

中国专利 :CN121006614A ,2025-11-25

[9]

用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法 [P].

唐吉龙 ;

方铉 ;

魏志鹏 ;

高娴 ;

陈芳 ;

房丹 ;

李金华 ;

楚学影 ;

方芳 ;

王晓华 ;

王菲 .

中国专利 :CN105019027B ,2015-11-04

[10]

一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法 [P].

何苗 ;

陈虞龙 ;

王禄 ;

石震武 ;

孙庆灵 ;

高优 .

中国专利 :CN103820848A ,2014-05-28

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