InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610361608.6

申请日：

2016-05-26

公开(公告)号：

CN105932106B

公开(公告)日：

2016-09-07

发明(设计)人：

宋国峰于海龙吴浩越徐云朱海军

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101681312918 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2016103616086 申请日:20160526
2016-09-07	公开	公开
2019-04-30	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/18 变更事项:发明人变更前:宋国峰于海龙吴浩越徐云朱海军变更后:徐云宋国峰于海龙吴浩越朱海军
2018-01-02	授权	授权

共 50 条

[1]

InAs/GaSbⅡ类超晶格 [P].

曹耀辉 ;

陈建桥 .

中国专利 :CN207282503U ,2018-04-27

[2]

InAs/InSb应变超晶格材料及其制备方法 [P].

黄立 ;

魏国帅 ;

刘永锋 ;

吴佳 ;

刘芊栾 ;

王晓碧 .

中国专利 :CN114197055B ,2022-03-18

[3]

一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法及InAs/GaSb超晶格 [P].

祝连庆 ;

刘昭君 ;

张东亮 ;

柳渊 ;

鹿利单 ;

郑显通 .

中国专利 :CN115732594B ,2024-04-12

[4]

一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法 [P].

祝连庆 ;

陈雨豪 ;

鹿利单 ;

董明利 ;

何彦霖 ;

陈伟强 ;

张旭 .

中国专利 :CN117779188A ,2024-03-29

[5]

一种InAs/GaSb超晶格材料及其制备方法 [P].

刘永锋 ;

朱赫 ;

吴佳 ;

周文洪 ;

黄晟 ;

黄立 .

中国专利 :CN121006615A ,2025-11-25

[6]

InAs/GaSbⅡ类超晶格APD死区长度计算方法 [P].

陈建新 ;

杨通 .

中国专利 :CN118520202A ,2024-08-20

[7]

InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 [P].

黄建亮 ;

马文全 ;

张艳华 ;

曹玉莲 .

中国专利 :CN102569484A ,2012-07-11

[8]

InAs/GaSb超晶格电子结构的设计方法 [P].

李美成 ;

熊敏 .

中国专利 :CN102436532A ,2012-05-02

[9]

甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 [P].

卫炀 ;

马文全 ;

张艳华 ;

曹玉莲 .

中国专利 :CN102544229A ,2012-07-04

[10]

钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 [P].

曹玉莲 ;

马文全 ;

张艳华 .

中国专利 :CN102569521A ,2012-07-11

← 1 2 3 4 5 →