InAs/InSb应变超晶格材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210149194.6

申请日：

2022-02-18

公开(公告)号：

CN114197055B

公开(公告)日：

2022-03-18

发明(设计)人：

黄立魏国帅刘永锋吴佳刘芊栾王晓碧

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼

IPC主分类号：

C30B2968

IPC分类号：

C30B2518 C30B2940 H01L310352 H01L310304

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

胡建文

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-22	授权	授权
2022-03-18	公开	公开
2022-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/68 申请日:20220218

共 50 条

[1]

InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品 [P].

宋国峰 ;

于海龙 ;

吴浩越 ;

徐云 ;

朱海军 .

中国专利 :CN105932106B ,2016-09-07

[2]

一种InAs/GaSb超晶格材料及其制备方法 [P].

刘永锋 ;

朱赫 ;

吴佳 ;

周文洪 ;

黄晟 ;

黄立 .

中国专利 :CN121006615A ,2025-11-25

[3]

一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法及InAs/GaSb超晶格 [P].

祝连庆 ;

刘昭君 ;

张东亮 ;

柳渊 ;

鹿利单 ;

郑显通 .

中国专利 :CN115732594B ,2024-04-12

[4]

一种InAs/GaSb超晶格材料及其外延生长方法 [P].

刘永锋 ;

朱赫 ;

吴佳 ;

周文洪 ;

黄晟 ;

黄立 .

中国专利 :CN121006614A ,2025-11-25

[5]

应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

云峰 ;

王越 ;

黄亚平 ;

田振寰 ;

王宏 .

中国专利 :CN103337568B ,2013-10-02

[6]

InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 [P].

蒋洞微 ;

向伟 ;

王娟 ;

邢军亮 ;

王国伟 ;

徐应强 ;

任正伟 ;

贺振宏 ;

牛智川 .

中国专利 :CN103887360A ,2014-06-25

[7]

InAs/GaSb超晶格电子结构的设计方法 [P].

李美成 ;

熊敏 .

中国专利 :CN102436532A ,2012-05-02

[8]

一种InAs/GaSb超晶格红外探测器及其制作方法 [P].

杨晓杰 ;

刘永峰 ;

张传杰 ;

谭必松 ;

周文洪 ;

黄立 .

中国专利 :CN108133970A ,2018-06-08

[9]

一种稀铋II类超晶格材料及其制备方法 [P].

赵鸿滨 ;

屠海令 ;

李娜 .

中国专利 :CN120603369A ,2025-09-05

[10]

盘状分子有机半导体构成的有机超晶格材料及其制备方法 [P].

闫东航 ;

朱峰 ;

娄坤 ;

王海波 .

中国专利 :CN101260566A ,2008-09-10

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