InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410153659.0

申请日：

2014-04-16

公开(公告)号：

CN103887360A

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

蒋洞微向伟王娟邢军亮王国伟徐应强任正伟贺振宏牛智川

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L31102

IPC分类号：

H01L31036 H01L310352 H01L3118

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

曹玲柱

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583886504 IPC(主分类):H01L 31/102 专利申请号:2014101536590 申请日:20140416
2016-08-17	授权	授权
2014-06-25	公开	公开
2019-07-19	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/102 变更事项:发明人变更前:蒋洞微向伟王娟邢军亮王国伟徐应强任正伟贺振宏牛智川变更后:蒋洞微牛智川王国伟徐应强向伟任正伟王娟邢军亮贺振宏

共 50 条

[1]

HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 [P].

张宇 ;

王国伟 ;

汤宝 ;

任正伟 ;

徐应强 ;

牛智川 ;

陈良惠 .

中国专利 :CN101814545A ,2010-08-25

[2]

GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 [P].

周志强 ;

郝瑞亭 ;

汤宝 ;

任正伟 ;

徐应强 ;

牛智川 .

中国专利 :CN101562210A ,2009-10-21

[3]

GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 [P].

汤宝 ;

周志强 ;

郝瑞亭 ;

任正伟 ;

徐应强 ;

牛智川 .

中国专利 :CN101576413A ,2009-11-11

[4]

一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 [P].

王国伟 ;

汤宝 ;

周志强 ;

任正伟 ;

徐应强 ;

牛智川 .

中国专利 :CN101777601A ,2010-07-14

[5]

InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法 [P].

郝宏玥 ;

徐应强 ;

王国伟 ;

向伟 ;

韩玺 ;

蒋洞微 ;

牛智川 .

中国专利 :CN106024931A ,2016-10-12

[6]

InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 [P].

黄建亮 ;

马文全 ;

张艳华 ;

曹玉莲 .

中国专利 :CN102569484A ,2012-07-11

[7]

InAs基室温宽波段红外光电探测器 [P].

林虹宇 ;

胡淑红 ;

周子骥 ;

郝加明 ;

谢浩 ;

段永飞 ;

戴宁 .

中国专利 :CN214797434U ,2021-11-19

[8]

一种InAs/GaSb超晶格红外探测器及其制作方法 [P].

杨晓杰 ;

刘永峰 ;

张传杰 ;

谭必松 ;

周文洪 ;

黄立 .

中国专利 :CN108133970A ,2018-06-08

[9]

钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 [P].

曹玉莲 ;

马文全 ;

张艳华 .

中国专利 :CN102569521A ,2012-07-11

[10]

一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法及InAs/GaSb超晶格 [P].

祝连庆 ;

刘昭君 ;

张东亮 ;

柳渊 ;

鹿利单 ;

郑显通 .

中国专利 :CN115732594B ,2024-04-12

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