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一种InAs/GaSb超晶格红外探测器及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201711065363.3
申请日：
2017-11-02
公开(公告)号：
CN108133970A
公开(公告)日：
2018-06-08
发明(设计)人：
杨晓杰 刘永峰 张传杰 谭必松 周文洪 黄立
申请人：
申请人地址：
430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼
IPC主分类号：
H01L310304
IPC分类号：
H01L310352 H01L3118
代理机构：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人：
张强
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-06-08 公开 公开
2020-10-16 著录事项变更 著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/0304 变更事项:发明人 变更前:杨晓杰 刘永峰 张传杰 谭必松 周文洪 黄立 变更后:杨晓杰 刘永锋 张传杰 谭必松 周文洪 黄立
2018-07-20 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请日:20171102
2020-04-28 授权 授权
2022-12-09 著录事项变更 著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/0304 变更事项:发明人 变更前:杨晓杰 刘永锋 张传杰 谭必松 周文洪 黄立 变更后:黄立 杨晓杰 刘永锋 张传杰 谭必松 周文洪
共 50 条
[1]
一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 [P]. 
王国伟 ;
汤宝 ;
周志强 ;
任正伟 ;
徐应强 ;
牛智川 .
中国专利 :CN101777601A ,2010-07-14
[2]
GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 [P]. 
周志强 ;
郝瑞亭 ;
汤宝 ;
任正伟 ;
徐应强 ;
牛智川 .
中国专利 :CN101562210A ,2009-10-21
[3]
一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法及InAs/GaSb超晶格 [P]. 
祝连庆 ;
刘昭君 ;
张东亮 ;
柳渊 ;
鹿利单 ;
郑显通 .
中国专利 :CN115732594B ,2024-04-12
[4]
GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 [P]. 
汤宝 ;
周志强 ;
郝瑞亭 ;
任正伟 ;
徐应强 ;
牛智川 .
中国专利 :CN101576413A ,2009-11-11
[5]
InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法 [P]. 
郝宏玥 ;
徐应强 ;
王国伟 ;
向伟 ;
韩玺 ;
蒋洞微 ;
牛智川 .
中国专利 :CN106024931A ,2016-10-12
[6]
钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 [P]. 
曹玉莲 ;
马文全 ;
张艳华 .
中国专利 :CN102569521A ,2012-07-11
[7]
InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 [P]. 
蒋洞微 ;
向伟 ;
王娟 ;
邢军亮 ;
王国伟 ;
徐应强 ;
任正伟 ;
贺振宏 ;
牛智川 .
中国专利 :CN103887360A ,2014-06-25
[8]
InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 [P]. 
黄建亮 ;
马文全 ;
张艳华 ;
曹玉莲 .
中国专利 :CN102569484A ,2012-07-11
[9]
HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 [P]. 
张宇 ;
王国伟 ;
汤宝 ;
任正伟 ;
徐应强 ;
牛智川 ;
陈良惠 .
中国专利 :CN101814545A ,2010-08-25
[10]
一种InAs/GaSb红外探测器及其制备方法 [P]. 
祝连庆 ;
刘昭君 ;
董明利 ;
张东亮 ;
鹿利单 .
中国专利 :CN117855304A ,2024-04-09
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