GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810106276.2

申请日：

2008-05-09

公开(公告)号：

CN101576413A

公开(公告)日：

2009-11-11

发明(设计)人：

汤宝周志强郝瑞亭任正伟徐应强牛智川

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

G01J500

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周国城

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-07-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101283515315 IPC(主分类):H01L 31/111 专利号:ZL2008101062762 申请日:20080509 授权公告日:20101201 终止日期:20110509
2010-12-01	授权	授权
2009-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 [P].

周志强 ;

郝瑞亭 ;

汤宝 ;

任正伟 ;

徐应强 ;

牛智川 .

中国专利 :CN101562210A ,2009-10-21

[2]

InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 [P].

蒋洞微 ;

向伟 ;

王娟 ;

邢军亮 ;

王国伟 ;

徐应强 ;

任正伟 ;

贺振宏 ;

牛智川 .

中国专利 :CN103887360A ,2014-06-25

[3]

一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 [P].

王国伟 ;

汤宝 ;

周志强 ;

任正伟 ;

徐应强 ;

牛智川 .

中国专利 :CN101777601A ,2010-07-14

[4]

HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 [P].

张宇 ;

王国伟 ;

汤宝 ;

任正伟 ;

徐应强 ;

牛智川 ;

陈良惠 .

中国专利 :CN101814545A ,2010-08-25

[5]

一种InAs/GaSb超晶格红外探测器及其制作方法 [P].

杨晓杰 ;

刘永峰 ;

张传杰 ;

谭必松 ;

周文洪 ;

黄立 .

中国专利 :CN108133970A ,2018-06-08

[6]

硅基近红外光电探测器结构及其制作方法 [P].

胡少旭 ;

韩培德 ;

李辛毅 ;

毛雪 ;

高利朋 .

中国专利 :CN102903781A ,2013-01-30

[7]

InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法 [P].

郝宏玥 ;

徐应强 ;

王国伟 ;

向伟 ;

韩玺 ;

蒋洞微 ;

牛智川 .

中国专利 :CN106024931A ,2016-10-12

[8]

钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 [P].

曹玉莲 ;

马文全 ;

张艳华 .

中国专利 :CN102569521A ,2012-07-11

[9]

红外光电探测器及其制作方法 [P].

王利明 ;

张蓓 ;

胡辉勇 ;

张一驰 ;

张宁宁 ;

孙浩 ;

韩钊 ;

苑西西 ;

舒斌 .

中国专利 :CN113517363B ,2021-10-19

[10]

InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 [P].

黄建亮 ;

马文全 ;

张艳华 ;

曹玉莲 .

中国专利 :CN102569484A ,2012-07-11

← 1 2 3 4 5 →