InAs/GaSb二类超晶格红外探测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210027372.4

申请日：

2012-02-08

公开(公告)号：

CN102569484A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

黄建亮马文全张艳华曹玉莲

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L31101

IPC分类号：

H01L310352 H01L310304

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-11	公开	公开
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324731401 IPC(主分类):H01L 31/101 专利申请号:2012100273724 申请日:20120208
2014-10-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101706862571 IPC(主分类):H01L 31/101 专利申请号:2012100273724 申请公布日:20120711

共 50 条

[1]

钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 [P].

曹玉莲 ;

马文全 ;

张艳华 .

中国专利 :CN102569521A ,2012-07-11

[2]

甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 [P].

卫炀 ;

马文全 ;

张艳华 ;

曹玉莲 .

中国专利 :CN102544229A ,2012-07-04

[3]

InAs/GaSbⅡ类超晶格 [P].

曹耀辉 ;

陈建桥 .

中国专利 :CN207282503U ,2018-04-27

[4]

HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 [P].

张宇 ;

王国伟 ;

汤宝 ;

任正伟 ;

徐应强 ;

牛智川 ;

陈良惠 .

中国专利 :CN101814545A ,2010-08-25

[5]

一种高温工作InAs-InAsSb二类超晶格红外探测器材料结构 [P].

詹健龙 ;

尚林涛 ;

徐竟杰 .

中国专利 :CN116344661B ,2024-03-08

[6]

一种具有强制n型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器 [P].

詹健龙 ;

宋禹析 .

中国专利 :CN109801992A ,2019-05-24

[7]

InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法 [P].

郝宏玥 ;

徐应强 ;

王国伟 ;

向伟 ;

韩玺 ;

蒋洞微 ;

牛智川 .

中国专利 :CN106024931A ,2016-10-12

[8]

InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 [P].

蒋洞微 ;

向伟 ;

王娟 ;

邢军亮 ;

王国伟 ;

徐应强 ;

任正伟 ;

贺振宏 ;

牛智川 .

中国专利 :CN103887360A ,2014-06-25

[9]

一种具有强制p型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器 [P].

詹健龙 ;

宋禹析 .

中国专利 :CN109768100B ,2019-05-17

[10]

二类超晶格双色红外探测器及其制备方法 [P].

张轶 ;

孙浩 ;

李海燕 ;

刘震宇 ;

刘铭 .

中国专利 :CN112002716A ,2020-11-27

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