一种高温工作InAs-InAsSb二类超晶格红外探测器材料结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211685509.5

申请日：

2022-12-27

公开(公告)号：

CN116344661B

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

詹健龙尚林涛徐竟杰

申请人：

浙江焜腾红外科技有限公司

申请人地址：

314000 浙江省嘉兴市经济技术开发区昌盛南路36号嘉兴智慧产业创新园10号楼104室

IPC主分类号：

H01L31/109

IPC分类号：

H01L31/0304 H01L31/0352

代理机构：

浙江嘉腾专利代理有限公司 33515

代理人：

熊亮亮

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-03	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):H01L 31/109变更事项:专利权人变更前:浙江焜腾红外科技有限公司变更后:浙江焜腾红外技术股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:314000 浙江省嘉兴市经济技术开发区昌盛南路36号嘉兴智慧产业创新园10号楼104室变更后:314000 浙江省嘉兴市经济技术开发区昌盛南路36号嘉兴智慧产业创新园10号楼104室
2024-03-08	授权	授权

共 50 条

[1]

InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 [P].

黄建亮 ;

马文全 ;

张艳华 ;

曹玉莲 .

中国专利 :CN102569484A ,2012-07-11

[2]

甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 [P].

卫炀 ;

马文全 ;

张艳华 ;

曹玉莲 .

中国专利 :CN102544229A ,2012-07-04

[3]

钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 [P].

曹玉莲 ;

马文全 ;

张艳华 .

中国专利 :CN102569521A ,2012-07-11

[4]

一种基于InAs/InAsSb二类超晶格的中红外波段光电探测器 [P].

陈佰乐 ;

黄健 .

中国专利 :CN114242820A ,2022-03-25

[5]

一种基于InAs/InAsSb二类超晶格的中红外波段光电探测器 [P].

陈佰乐 ;

黄健 .

中国专利 :CN114242820B ,2024-08-30

[6]

一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格nBn型红外探测器材料 [P].

陈意桥 ;

于天 ;

周浩 .

中国专利 :CN115621340A ,2023-01-17

[7]

平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法 [P].

黄勇 ;

熊敏 .

中国专利 :CN106558633A ,2017-04-05

[8]

一种PBn型InAsSb红外探测器材料结构 [P].

邓功荣 ;

杨文运 ;

龚晓霞 ;

肖婷婷 ;

杨绍培 ;

宋欣波 ;

范明国 ;

袁俊 ;

赵鹏 ;

黄晖 .

中国专利 :CN214279994U ,2021-09-24

[9]

一种生长InAs/InAsSb二类超晶格结构的方法 [P].

祁秋月 ;

苏大鸿 ;

郭帅 ;

谢小刚 .

中国专利 :CN117758371A ,2024-03-26

[10]

一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法 [P].

祝连庆 ;

杨继兴 ;

鹿利单 ;

陈伟强 ;

董明利 ;

何彦霖 .

中国专利 :CN119317198B ,2025-11-25

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