甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210036863.5

申请日：

2012-02-17

公开(公告)号：

CN102544229A

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

卫炀马文全张艳华曹玉莲

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

宋焰琴

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101702684885 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2012100368635 申请公布日:20120704
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322547879 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2012100368635 申请日:20120217
2012-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 [P].

黄建亮 ;

马文全 ;

张艳华 ;

曹玉莲 .

中国专利 :CN102569484A ,2012-07-11

[2]

钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 [P].

曹玉莲 ;

马文全 ;

张艳华 .

中国专利 :CN102569521A ,2012-07-11

[3]

同时适配P-on-N和N-on-P读出电路的InAs-GaSb二类超晶格红外探测器材料 [P].

詹健龙 ;

徐竟杰 .

中国专利 :CN121126889A ,2025-12-12

[4]

一种高温工作InAs-InAsSb二类超晶格红外探测器材料结构 [P].

詹健龙 ;

尚林涛 ;

徐竟杰 .

中国专利 :CN116344661B ,2024-03-08

[5]

一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器 [P].

于清江 ;

李晓超 ;

蒋洞微 ;

于翠玲 ;

国凤云 ;

王金忠 .

中国专利 :CN104576805A ,2015-04-29

[6]

一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法及InAs/GaSb超晶格 [P].

祝连庆 ;

刘昭君 ;

张东亮 ;

柳渊 ;

鹿利单 ;

郑显通 .

中国专利 :CN115732594B ,2024-04-12

[7]

一种二类超晶格红外探测器件材料的制备方法 [P].

王庶民 ;

王畅 .

中国专利 :CN107910401A ,2018-04-13

[8]

InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法 [P].

郝宏玥 ;

徐应强 ;

王国伟 ;

向伟 ;

韩玺 ;

蒋洞微 ;

牛智川 .

中国专利 :CN106024931A ,2016-10-12

[9]

二类超晶格双色红外探测器及其制备方法 [P].

张轶 ;

孙浩 ;

李海燕 ;

刘震宇 ;

刘铭 .

中国专利 :CN112002716A ,2020-11-27

[10]

一种空穴势垒能带渐变的长波红外探测器二类超晶格材料 [P].

李俊斌 ;

蒋志 ;

孔金丞 ;

周旭昌 ;

杨雯 .

中国专利 :CN118136702A ,2024-06-04

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