一种二类超晶格红外探测器件材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710509130.1

申请日：

2017-06-28

公开(公告)号：

CN107910401A

公开(公告)日：

2018-04-13

发明(设计)人：

王庶民王畅

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号方兴大厦906室

IPC主分类号：

H01L31105

IPC分类号：

H01L3118 H01L2118

代理机构：

北京方安思达知识产权代理有限公司 11472

代理人：

陈琳琳;李彪

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-13	授权	授权
2018-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/105 申请日:20170628
2018-04-13	公开	公开

共 50 条

[1]

InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 [P].

黄建亮 ;

马文全 ;

张艳华 ;

曹玉莲 .

中国专利 :CN102569484A ,2012-07-11

[2]

一种新型二类超晶格红外探测器的制备方法 [P].

郭健 ;

张培峰 ;

文晋 ;

苏莹 ;

薛建凯 ;

冯伟 ;

李斌 ;

陈龙华 .

中国专利 :CN119630111A ,2025-03-14

[3]

一种新型二类超晶格红外探测器的制备方法 [P].

郭健 ;

张培峰 ;

文晋 ;

苏莹 ;

薛建凯 ;

冯伟 ;

李斌 ;

陈龙华 .

中国专利 :CN119630111B ,2025-04-18

[4]

二类超晶格双色红外探测器及其制备方法 [P].

张轶 ;

孙浩 ;

李海燕 ;

刘震宇 ;

刘铭 .

中国专利 :CN112002716A ,2020-11-27

[5]

甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 [P].

卫炀 ;

马文全 ;

张艳华 ;

曹玉莲 .

中国专利 :CN102544229A ,2012-07-04

[6]

平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法 [P].

黄勇 ;

熊敏 .

中国专利 :CN106558633A ,2017-04-05

[7]

一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法 [P].

祝连庆 ;

杨继兴 ;

鹿利单 ;

陈伟强 ;

董明利 ;

何彦霖 .

中国专利 :CN119317198B ,2025-11-25

[8]

一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法 [P].

祝连庆 ;

杨继兴 ;

鹿利单 ;

陈伟强 ;

董明利 ;

何彦霖 .

中国专利 :CN119317198A ,2025-01-14

[9]

一种双色二类超晶格红外探测器的刻蚀方法 [P].

王程 ;

高雷 ;

姜亚梅 ;

高丽媛 ;

张文琪 .

中国专利 :CN121126948A ,2025-12-12

[10]

一种无应力层的二类超晶格红外探测器及制备方法 [P].

张国祯 ;

陈意桥 ;

于天 .

中国专利 :CN114664960A ,2022-06-24

← 1 2 3 4 5 →