一种新型二类超晶格红外探测器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510158081.6

申请日：

2025-02-13

公开(公告)号：

CN119630111A

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

郭健张培峰文晋苏莹薛建凯冯伟李斌陈龙华

申请人：

山西创芯光电科技有限公司

申请人地址：

030000 山西省太原市小店区南内环街16号二号厂房一层

IPC主分类号：

H10F71/00

IPC分类号：

H10F30/21 H10F77/30

代理机构：

太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109

代理人：

孟肖阳;崔浩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	公开	公开
2025-04-18	授权	授权
2025-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 71/00申请日:20250213

共 50 条

[1]

一种新型二类超晶格红外探测器的制备方法 [P].

郭健 ;

张培峰 ;

文晋 ;

苏莹 ;

薛建凯 ;

冯伟 ;

李斌 ;

陈龙华 .

中国专利 :CN119630111B ,2025-04-18

[2]

InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 [P].

黄建亮 ;

马文全 ;

张艳华 ;

曹玉莲 .

中国专利 :CN102569484A ,2012-07-11

[3]

二类超晶格双色红外探测器及其制备方法 [P].

张轶 ;

孙浩 ;

李海燕 ;

刘震宇 ;

刘铭 .

中国专利 :CN112002716A ,2020-11-27

[4]

一种双色二类超晶格红外探测器的刻蚀方法 [P].

王程 ;

高雷 ;

姜亚梅 ;

高丽媛 ;

张文琪 .

中国专利 :CN121126948A ,2025-12-12

[5]

一种二类超晶格红外探测器件材料的制备方法 [P].

王庶民 ;

王畅 .

中国专利 :CN107910401A ,2018-04-13

[6]

平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法 [P].

黄勇 ;

熊敏 .

中国专利 :CN106558633A ,2017-04-05

[7]

一种超晶格红外探测器电极制备方法及超晶格红外探测器 [P].

任昂 ;

李景峰 ;

刘铭 .

中国专利 :CN119836035A ,2025-04-15

[8]

一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法 [P].

祝连庆 ;

杨继兴 ;

鹿利单 ;

陈伟强 ;

董明利 ;

何彦霖 .

中国专利 :CN119317198B ,2025-11-25

[9]

一种基于MBE生长二类超晶格红外探测器的方法 [P].

祝连庆 ;

杨继兴 ;

鹿利单 ;

陈伟强 ;

董明利 ;

何彦霖 .

中国专利 :CN119317198A ,2025-01-14

[10]

一种无应力层的二类超晶格红外探测器及制备方法 [P].

张国祯 ;

陈意桥 ;

于天 .

中国专利 :CN114664960A ,2022-06-24

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