锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110215670.1

申请日：

2011-07-29

公开(公告)号：

CN102386068B

公开(公告)日：

2012-03-21

发明(设计)人：

魏星薛忠营曹共柏张峰张苗王曦

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L2900

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人：

孙佳胤;翟羽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-21	公开	公开
2014-04-09	授权	授权
2012-06-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101267910515 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2011102156701 申请日:20110729

共 50 条

[1]

锗衬底的生长方法以及锗衬底 [P].

魏星 ;

薛忠营 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102383192B ,2012-03-21

[2]

锗硅外延生长方法 [P].

曹威 ;

江润峰 .

中国专利 :CN103928319A ,2014-07-16

[3]

一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法 [P].

芦红 ;

苗艺 ;

魏炼 ;

叶佳佳 ;

宋欢欢 ;

陈延峰 .

中国专利 :CN109166788A ,2019-01-08

[4]

减少FDSOI器件锗硅衬底损失的方法 [P].

车思远 .

中国专利 :CN118398495A ,2024-07-26

[5]

一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 [P].

胡炜玄 ;

成步文 ;

薛春来 ;

张广泽 ;

王启明 .

中国专利 :CN101866835B ,2010-10-20

[6]

基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法 [P].

钟振扬 ;

张宁宁 ;

陈培宗 ;

樊永良 ;

蒋最敏 .

中国专利 :CN109545682B ,2019-03-29

[7]

硅衬底上氮化镓生长方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103137446A ,2013-06-05

[8]

绝缘体上锗硅衬底的制备方法 [P].

张苗 ;

张波 ;

王曦 .

中国专利 :CN100557767C ,2009-02-04

[9]

低位错密度锗硅虚衬底的制备方法 [P].

李成 ;

蔡坤煌 ;

张永 ;

赖虹凯 ;

陈松岩 .

中国专利 :CN101013668A ,2007-08-08

[10]

硅基锗锡厚膜的生长方法 [P].

崔金来 ;

郑军 ;

吴亦旸 ;

贺晨 ;

刘香全 ;

黄秦兴 ;

刘智 ;

左玉华 ;

成步文 .

中国专利 :CN118007241A ,2024-05-10

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