低位错密度锗硅虚衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710008498.6

申请日：

2007-01-26

公开(公告)号：

CN101013668A

公开(公告)日：

2007-08-08

发明(设计)人：

李成蔡坤煌张永赖虹凯陈松岩

申请人：

申请人地址：

361005福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21322

代理机构：

厦门南强之路专利事务所

代理人：

马应森

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-12-31	授权	授权
2013-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101422521375 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL2007100084986 申请日:20070126 授权公告日:20081231 终止日期:20120126
2007-08-08	公开	公开

共 50 条

[1]

用于制备低位错密度GaN外延材料的硅衬底的处理方法 [P].

尹甲运 ;

冯志红 ;

李佳 ;

刘波 ;

王晶晶 ;

敦少博 .

中国专利 :CN102492935A ,2012-06-13

[2]

一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 [P].

胡炜玄 ;

成步文 ;

薛春来 ;

张广泽 ;

王启明 .

中国专利 :CN101866835B ,2010-10-20

[3]

基于斜切硅衬底的超高密度锗硅量子点的制备方法 [P].

钟振扬 ;

周通 ;

田爽 ;

樊永良 ;

蒋最敏 .

中国专利 :CN103903966A ,2014-07-02

[4]

一种外延生长低位错密度的硅基锗的方法 [P].

陈城钊 ;

李云 ;

邱胜桦 ;

刘翠青 .

中国专利 :CN111005067A ,2020-04-14

[5]

基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法 [P].

钟振扬 ;

张宁宁 ;

陈培宗 ;

樊永良 ;

蒋最敏 .

中国专利 :CN109545682B ,2019-03-29

[6]

制备低位错密度硅锭的新型定向凝固方法 [P].

李飞龙 ;

许涛 ;

翟传鑫 ;

蒋俊峰 .

中国专利 :CN103866381A ,2014-06-18

[7]

硅衬底上生长低位错氮化镓的方法 [P].

张宝顺 ;

王晓华 .

中国专利 :CN1309013C ,2005-01-05

[8]

低位错密度LED芯片的制备方法 [P].

伍永安 ;

高绍兵 .

中国专利 :CN101777614A ,2010-07-14

[9]

锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底 [P].

魏星 ;

薛忠营 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102386068B ,2012-03-21

[10]

一种低位错密度的碳化硅衬底及其制备方法 [P].

张九阳 ;

李霞 ;

王永方 ;

高宇晗 ;

张红岩 ;

高超 ;

梁庆瑞 ;

李祥皓 ;

苏丽娜 .

中国专利 :CN113957533A ,2022-01-21

← 1 2 3 4 5 →