用于制备低位错密度GaN外延材料的硅衬底的处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110414259.7

申请日：

2011-12-13

公开(公告)号：

CN102492935A

公开(公告)日：

2012-06-13

发明(设计)人：

尹甲运冯志红李佳刘波王晶晶敦少博

申请人：

申请人地址：

050051 河北省石家庄市合作路113号十三所重点实验室

IPC主分类号：

C23C1632

IPC分类号：

C30B2502 H01L2102

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

李荣文

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101703799722 IPC(主分类):C23C 16/32 专利申请号:2011104142597 申请公布日:20120613
2012-06-13	公开	公开
2012-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101298511293 IPC(主分类):C23C 16/32 专利申请号:2011104142597 申请日:20111213

共 50 条

[1]

低位错密度锗硅虚衬底的制备方法 [P].

李成 ;

蔡坤煌 ;

张永 ;

赖虹凯 ;

陈松岩 .

中国专利 :CN101013668A ,2007-08-08

[2]

低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用 [P].

王骁 ;

徐科 ;

张育民 .

中国专利 :CN119943652B ,2025-07-01

[3]

低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用 [P].

王骁 ;

徐科 ;

张育民 .

中国专利 :CN119943652A ,2025-05-06

[4]

一种外延生长低位错密度的硅基锗的方法 [P].

陈城钊 ;

李云 ;

邱胜桦 ;

刘翠青 .

中国专利 :CN111005067A ,2020-04-14

[5]

硅衬底GaN半导体器件外延材料结构 [P].

刘查理 .

中国专利 :CN108615763B ,2018-10-02

[6]

一种Si基GaN外延低位错薄膜及其制备方法 [P].

陆俊 ;

王东 ;

吴勇 ;

陈兴 ;

汪琼 ;

葛林男 ;

严伟伟 ;

何滇 ;

曾文秀 ;

王俊杰 ;

操焰 ;

崔傲 ;

袁珂 ;

陈军飞 ;

张进成 .

中国专利 :CN111129114A ,2020-05-08

[7]

低位错密度GaN的生长工艺 [P].

B·博蒙 ;

J－P·福里 ;

P·吉巴特 .

中国专利 :CN101336314A ,2008-12-31

[8]

用于生长GaN外延材料的衬底结构 [P].

李东昇 ;

丁海生 ;

陈善麟 .

中国专利 :CN205508775U ,2016-08-24

[9]

GaN外延用硅衬底材料的翘曲度控制方法 [P].

宋玮 ;

贺贤汉 ;

金文明 .

中国专利 :CN104538508A ,2015-04-22

[10]

低位错密度AlxGa1-xN外延薄膜的制备方法 [P].

鲁麟 ;

李明潮 ;

刘畅 ;

吕琛 ;

江明 .

中国专利 :CN105097451A ,2015-11-25

← 1 2 3 4 5 →