低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510433440.4

申请日：

2025-04-08

公开(公告)号：

CN119943652A

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

王骁徐科张育民

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H10D62/85 H10D62/854

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

李志

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	公开	公开
2025-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250408
2025-07-01	授权	授权

共 50 条

[1]

低位错密度GaN薄膜的侧向合并外延生长方法及应用 [P].

王骁 ;

徐科 ;

张育民 .

中国专利 :CN119943652B ,2025-07-01

[2]

降低位错缺陷的GaN基LED芯片外延生长方法 [P].

朱学亮 ;

吴德华 ;

曲爽 ;

吴亭 ;

李树强 ;

徐现刚 ;

任忠祥 .

中国专利 :CN101702418B ,2010-05-05

[3]

低位错密度GaN的生长工艺 [P].

B·博蒙 ;

J－P·福里 ;

P·吉巴特 .

中国专利 :CN101336314A ,2008-12-31

[4]

一种GaN薄膜的外延生长方法及应用 [P].

李国强 ;

王海燕 ;

林志霆 .

中国专利 :CN106328774A ,2017-01-11

[5]

低位错无裂纹的AlN薄膜及其外延生长方法 [P].

孙文红 ;

李耀泽 .

中国专利 :CN119446896A ,2025-02-14

[6]

一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜 [P].

许福军 ;

沈波 ;

张立胜 ;

王明星 ;

国唯唯 ;

解楠 ;

孙元浩 ;

秦志新 .

中国专利 :CN106350783A ,2017-01-25

[7]

一种低位错密度氮化物的外延层生长方法 [P].

程万希 ;

梁辉南 ;

姜仁波 ;

李强 ;

王荣华 ;

高珺 .

中国专利 :CN111312585A ,2020-06-19

[8]

低位错密度AlxGa1-xN外延薄膜的制备方法 [P].

鲁麟 ;

李明潮 ;

刘畅 ;

吕琛 ;

江明 .

中国专利 :CN105097451A ,2015-11-25

[9]

用于制备低位错密度GaN外延材料的硅衬底的处理方法 [P].

尹甲运 ;

冯志红 ;

李佳 ;

刘波 ;

王晶晶 ;

敦少博 .

中国专利 :CN102492935A ,2012-06-13

[10]

极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN110230102B ,2019-09-13

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