一种低位错密度氮化物的外延层生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010147206.2

申请日：

2020-03-05

公开(公告)号：

CN111312585A

公开(公告)日：

2020-06-19

发明(设计)人：

程万希梁辉南姜仁波李强王荣华高珺

申请人：

申请人地址：

116000 辽宁省大连市高新园区七贤岭信达街57号工业设计产业园7号楼

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

大连东方专利代理有限责任公司 21212

代理人：

周莹;李馨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-19	公开	公开
2020-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20200305

共 50 条

[1]

一种氮化物的外延生长方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105762061A ,2016-07-13

[2]

氮化物半导体外延层的生长方法 [P].

尹义埈 ;

罗炫石 .

中国专利 :CN100447948C ,2006-08-16

[3]

一种氮化物半导体材料的外延生长方法 [P].

陈一仁 ;

周星宇 ;

张志伟 ;

宋航 ;

缪国庆 ;

蒋红 ;

李志明 .

中国专利 :CN112820626A ,2021-05-18

[4]

氮化物LED外延结构的生长方法 [P].

梁萌 ;

李鸿渐 ;

姚然 ;

李志聪 ;

李盼盼 ;

王兵 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102569567A ,2012-07-11

[5]

一种采用AlON缓冲层的氮化物的外延生长技术 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

李炜 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105755536B ,2016-07-13

[6]

硅基氮化物单晶薄膜的外延生长方法 [P].

李忠辉 .

中国专利 :CN100592470C ,2008-03-19

[7]

氮化物生长方法 [P].

刘志强 ;

冯涛 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN113394076A ,2021-09-14

[8]

Ⅲ族氮化物单晶生长方法 [P].

宫永伦正 ;

水原奈保 ;

藤原伸介 ;

中幡英章 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101351579B ,2009-01-21

[9]

氮化物半导体的生长方法 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1159750C ,1999-07-14

[10]

提高氮化物外延层耐压特性的缓冲层生长方法 [P].

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN107516629B ,2017-12-26

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