氮化物半导体的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98800457.7

申请日：

1998-04-09

公开(公告)号：

CN1159750C

公开(公告)日：

1999-07-14

发明(设计)人：

清久裕之中村修二小崎德也岩佐成人蝶蝶一幸

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L3300 C23C1634

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

袁炳泽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-07-14	公开	公开
2004-07-28	授权	授权
1999-07-21	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2018-05-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:19980409 授权公告日:20040728 终止日期:20170409

共 50 条

[1]

氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1516238A ,2004-07-28

[2]

氮化物半导体元件和氮化物半导体结晶层的生长方法 [P].

中原健 ;

田村谦太郎 .

中国专利 :CN101111945B ,2008-01-23

[3]

氮化物半导体衬底及器件 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1933195A ,2007-03-21

[4]

氮化物半导体的晶体生长方法和半导体装置的制造方法 [P].

井上彰 ;

加藤亮 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102067286A ,2011-05-18

[5]

氮化物半导体的结晶生长方法和半导体装置的制造方法 [P].

藤金正树 ;

井上彰 ;

加藤亮 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102369590A ,2012-03-07

[6]

Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体的生长方法及气相生长装置 [P].

弘田龙 ;

龙见雅美 .

中国专利 :CN1279504A ,2001-01-10

[7]

氮化物半导体薄膜及其生长方法 [P].

徐廷勋 .

中国专利 :CN1649090A ,2005-08-03

[8]

氮化物半导体的生长方法、半导体器件及其制造方法 [P].

日野智公 ;

浅野竹春 ;

朝妻庸纪 ;

喜嶋悟 ;

船户健次 ;

富谷茂隆 .

中国专利 :CN1147921C ,2000-06-28

[9]

氮化物半导体生长用衬底 [P].

熊仓一英 ;

广木正伸 ;

牧本俊树 .

中国专利 :CN100389481C ,2005-12-07

[10]

生长氮化物半导体层的方法 [P].

李文相 ;

朴性秀 ;

朴永洙 .

中国专利 :CN103199168A ,2013-07-10

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