氮化物半导体的晶体生长方法和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980115958.2

申请日：

2009-11-26

公开(公告)号：

CN102067286A

公开(公告)日：

2011-05-18

发明(设计)人：

井上彰加藤亮藤金正树横川俊哉

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1634 H01L3300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20091126 授权公告日:20130306 终止日期:20191126
2013-03-06	授权	授权
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088108048 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2009801159582 申请日:20091126
2011-05-18	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体的结晶生长方法和半导体装置的制造方法 [P].

藤金正树 ;

井上彰 ;

加藤亮 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102369590A ,2012-03-07

[2]

氮化物半导体的生长方法 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1159750C ,1999-07-14

[3]

制造氮化物半导体晶体的装置、制造氮化物半导体晶体的方法和氮化物半导体晶体 [P].

佐藤一成 ;

宫永伦正 ;

山本喜之 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN102131964A ,2011-07-20

[4]

氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1516238A ,2004-07-28

[5]

制造氮化物半导体晶体的方法、氮化物半导体晶体以及制造氮化物半导体晶体的装置 [P].

佐藤一成 ;

宫永伦正 ;

山本喜之 .

中国专利 :CN102159755B ,2011-08-17

[6]

半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法 [P].

冈久拓司 ;

川濑智博 ;

上村智喜 ;

西冈志行 ;

荒川聪 .

中国专利 :CN101440520A ,2009-05-27

[7]

半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法 [P].

冈久拓司 ;

川濑智博 ;

上村智喜 ;

西冈志行 ;

荒川聪 .

中国专利 :CN101440521A ,2009-05-27

[8]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706142B ,2025-12-23

[9]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706142A ,2023-02-17

[10]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706143B ,2025-10-17

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