半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810177774.6

申请日：

2008-11-20

公开(公告)号：

CN101440521A

公开(公告)日：

2009-05-27

发明(设计)人：

冈久拓司川濑智博上村智喜西冈志行荒川聪

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B2502 H01L21205

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

郇春艳;樊卫民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-27	公开	公开
2013-05-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101582204941 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2008101777746 申请公布日:20090527
2010-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101022481907 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2008101777746 申请日:20081120

共 50 条

[1]

半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法 [P].

冈久拓司 ;

川濑智博 ;

上村智喜 ;

西冈志行 ;

荒川聪 .

中国专利 :CN101440520A ,2009-05-27

[2]

氮化物半导体的晶体生长方法和半导体装置的制造方法 [P].

井上彰 ;

加藤亮 ;

藤金正树 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102067286A ,2011-05-18

[3]

场效应晶体管、半导体器件、其制造方法和半导体晶体生长方法 [P].

平田宏治 ;

小嵜正芳 ;

千田昌伸 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN100501951C ,2007-05-16

[4]

场效应晶体管、半导体器件和半导体晶体生长方法 [P].

平田宏治 ;

小嵜正芳 ;

千田昌伸 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN101552193A ,2009-10-07

[5]

半导体器件的制造方法、半导体器件以及半导体晶体生长衬底 [P].

苫米地秀一 .

中国专利 :CN103367112B ,2013-10-23

[6]

半导体晶体衬底、半导体装置及其制造方法 [P].

苫米地秀一 ;

小谷淳二 ;

中村哲一 .

中国专利 :CN103715081A ,2014-04-09

[7]

半导体晶体的制造方法和半导体衬底 [P].

柴田直树 ;

平田宏治 ;

山崎史郎 ;

今井克宏 ;

岩井真 ;

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

川村史朗 .

中国专利 :CN101415868A ,2009-04-22

[8]

一种半导体晶体生长方法和装置 [P].

沈伟民 ;

王刚 ;

黄瀚艺 ;

刘赟 .

中国专利 :CN111850681A ,2020-10-30

[9]

晶体生长方法及用该晶体生长方法制备的半导体器件 [P].

大川和宏 ;

三露常男 .

中国专利 :CN1109111A ,1995-09-27

[10]

半导体晶体的制造方法和半导体发光元件 [P].

永井诚二 ;

冨田一义 ;

山崎史郎 ;

手钱雄太 ;

平松敏夫 .

中国专利 :CN1863944A ,2006-11-15

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