半导体晶体的制造方法和半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02804691.9

申请日：

2002-02-12

公开(公告)号：

CN1863944A

公开(公告)日：

2006-11-15

发明(设计)人：

永井诚二冨田一义山崎史郎手钱雄太平松敏夫

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C30B2518

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李贵亮;杨梧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-03-01	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C30B 25/18 申请日:20020212 授权公告日:20080827
2006-11-15	公开	公开
2008-08-27	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

小鹿优太 ;

门胁嘉孝 .

中国专利 :CN113272974A ,2021-08-17

[2]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

小鹿优太 ;

门胁嘉孝 .

日本专利 :CN113272974B ,2025-08-05

[3]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

渡边隆史 .

中国专利 :CN101878541B ,2010-11-03

[4]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

小鹿优太 ;

门胁嘉孝 .

日本专利 :CN119605044A ,2025-03-11

[5]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

井上纮辅 ;

山本淳平 .

日本专利 :CN120642602A ,2025-09-12

[6]

半导体晶体的制造方法和半导体衬底 [P].

柴田直树 ;

平田宏治 ;

山崎史郎 ;

今井克宏 ;

岩井真 ;

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

川村史朗 .

中国专利 :CN101415868A ,2009-04-22

[7]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[8]

半导体发光元件和半导体发光装置 [P].

幡俊雄 ;

山本健作 ;

笔田麻佑子 ;

辰巳正毅 .

中国专利 :CN1257562C ,2003-04-09

[9]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102265415A ,2011-11-30

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 .

中国专利 :CN103682026B ,2014-03-26

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