半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410028811.2

申请日：

2014-01-21

公开(公告)号：

CN103972337A

公开(公告)日：

2014-08-06

发明(设计)人：

楠木克辉佐藤寿朗

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3332 H01L3320 H01L3300

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

段承恩;杨光军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	授权	授权
2014-08-06	公开	公开
2014-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586673396 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2014100288112 申请日:20140121

共 50 条

[1]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN113675310B ,2024-02-09

[2]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN114744093B ,2025-02-25

[3]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

中国专利 :CN114744093A ,2022-07-12

[4]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

中国专利 :CN113675309A ,2021-11-19

[5]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN113675309B ,2024-03-19

[6]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

中国专利 :CN113675310A ,2021-11-19

[7]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

和田贡 ;

深掘真也 .

中国专利 :CN110383508A ,2019-10-25

[8]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN110383507B ,2019-10-25

[9]

半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法 [P].

曾根直树 .

日本专利 :CN120753025A ,2025-10-03

[10]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

石本圣治 ;

神野大树 .

日本专利 :CN117355950A ,2024-01-05

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