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半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880015866.6
申请日：
2018-02-21
公开(公告)号：
CN110383508A
公开(公告)日：
2019-10-25
发明(设计)人：
和田贡
深掘真也
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L3332
IPC分类号：
H01L3306
H01L3312
代理机构：
上海旭诚知识产权代理有限公司 31220
代理人：
郑立;丁惠敏
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-11-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20180221 |
| 2019-10-25 | 公开 | 公开 |