半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

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申请号
CN202111231143.X
申请日
2021-10-22
公开(公告)号
CN114744093A
公开(公告)日
2022-07-12
发明(设计)人
丹羽纪隆 稻津哲彦
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L3344
IPC分类号
H01L3300
代理机构
上海旭诚知识产权代理有限公司 31220
代理人
郑立;丁惠敏
法律状态
公开
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共 50 条
[1]
半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P]. 
丹羽纪隆 ;
稻津哲彦 .
日本专利 :CN114744093B ,2025-02-25
[2]
半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P]. 
丹羽纪隆 ;
稻津哲彦 .
日本专利 :CN113675310B ,2024-02-09
[3]
半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P]. 
丹羽纪隆 ;
稻津哲彦 .
中国专利 :CN113675309A ,2021-11-19
[4]
半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P]. 
丹羽纪隆 ;
稻津哲彦 .
日本专利 :CN113675309B ,2024-03-19
[5]
半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P]. 
丹羽纪隆 ;
稻津哲彦 .
中国专利 :CN113675310A ,2021-11-19
[6]
半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P]. 
楠木克辉 ;
佐藤寿朗 .
中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06
[7]
半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P]. 
和田贡 ;
深掘真也 .
中国专利 :CN110383508A ,2019-10-25
[8]
半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P]. 
石本圣治 ;
神野大树 .
日本专利 :CN117355950A ,2024-01-05
[9]
半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、发光组件及发光组件的制造方法 [P]. 
井上振一郎 .
日本专利 :CN120266604A ,2025-07-04
[10]
半导体发光元件 [P]. 
村本卫司 ;
布上真也 .
中国专利 :CN102265416A ,2011-11-30