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半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、发光组件及发光组件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380077517.8
申请日：
2023-10-23
公开(公告)号：
CN120266604A
公开(公告)日：
2025-07-04
发明(设计)人：
井上振一郎
申请人：
国立研究开发法人情报通信研究机构
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
H10H20/82
IPC分类号：
H10H20/854
代理机构：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人：
刘新宇;岳红杰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-04 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-22 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/82申请日:20231023 |