半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310359009.7

申请日：

2013-08-16

公开(公告)号：

CN103682026B

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

户谷真悟出口将士

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3342

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;全万志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581692762 IPC(主分类):H01L 33/42 专利申请号:2013103590097 申请日:20130816
2014-03-26	公开	公开
2017-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

折田贤儿 .

中国专利 :CN1538537A ,2004-10-20

[2]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102265415A ,2011-11-30

[3]

半导体发光元件、该半导体发光元件的制造方法以及使用该半导体发光元件的灯 [P].

中山德行 ;

阿部能之 .

中国专利 :CN101960625B ,2011-01-26

[4]

半导体晶体的制造方法和半导体发光元件 [P].

永井诚二 ;

冨田一义 ;

山崎史郎 ;

手钱雄太 ;

平松敏夫 .

中国专利 :CN1863944A ,2006-11-15

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

田中章雅 .

中国专利 :CN1902793A ,2007-01-24

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

田中章雅 .

中国专利 :CN1943086A ,2007-04-04

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

长尾阳二 .

日本专利 :CN120391021A ,2025-07-29

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

长谷川义晃 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 .

中国专利 :CN1736009A ,2006-02-15

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

多田善纪 ;

杢哲次 ;

丹羽爱玲 ;

神井康宏 ;

佐藤纯治 ;

加藤隆志 .

中国专利 :CN100428509C ,2006-04-26

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