半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410080036.5

申请日：

2014-03-06

公开(公告)号：

CN104037286A

公开(公告)日：

2014-09-10

发明(设计)人：

木村重哉名古肇布上真也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332 H01L3300 H01S534

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

肖靖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587398998 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2014100800365 申请日:20140306
2017-03-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749141402 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2014100800365 申请公布日:20140910
2014-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

长尾阳二 .

日本专利 :CN120391021A ,2025-07-29

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

大塚康二 ;

佐藤雅裕 .

中国专利 :CN1622350A ,2005-06-01

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

折田贤儿 .

中国专利 :CN102804416A ,2012-11-28

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

萩野裕幸 ;

大野启 ;

山中一彦 ;

长尾宣明 ;

滨田贵裕 .

中国专利 :CN102365796A ,2012-02-29

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

名古肇 ;

木村重哉 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103915531A ,2014-07-09

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

安杖尚美 ;

菅原岳 ;

长谷川義晃 ;

石桥明彦 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101496236A ,2009-07-29

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 .

中国专利 :CN103682026B ,2014-03-26

[8]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[9]

半导体元件及其制造方法 [P].

市原隆志 ;

三贺大辅 ;

楠濑健 ;

山田孝夫 .

中国专利 :CN1883058A ,2006-12-20

[10]

氮化物半导体发光元件及其制造方法 [P].

川口浩史 ;

米田章法 ;

土井博志 .

中国专利 :CN102770975B ,2012-11-07

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