半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010173311.X

申请日：

2010-05-06

公开(公告)号：

CN101887937A

公开(公告)日：

2010-11-17

发明(设计)人：

平尾直树

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L3336

IPC分类号：

H01L3340

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-17	公开	公开
2016-08-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738364848 IPC(主分类):H01L 33/36 专利申请号:201010173311X 申请公布日:20101117
2010-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101028084675 IPC(主分类):H01L 33/36 专利申请号:201010173311X 申请日:20100506

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

笠原健司 ;

上田和正 .

中国专利 :CN101120451A ,2008-02-06

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

井上振一郎 ;

溜直树 .

中国专利 :CN105453277B ,2016-03-30

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边信幸 ;

井口缘 ;

村上哲朗 .

中国专利 :CN1909259A ,2007-02-07

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

黄钟日 ;

胜野弘 .

中国专利 :CN105990474A ,2016-10-05

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

全水根 ;

金太贤 ;

金太进 ;

朴俊阐 ;

金柄摄 ;

金钟源 ;

朴基万 .

中国专利 :CN106415859B ,2017-02-15

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木下嘉将 ;

龟井英德 .

中国专利 :CN101473457A ,2009-07-01

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

铃木真理子 ;

小野富男 ;

酒井忠司 ;

佐久间尚志 ;

吉田博昭 .

中国专利 :CN1941438A ,2007-04-04

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN103078026A ,2013-05-01

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

井口缘 ;

渡边信幸 ;

村上哲朗 ;

智者多永子 .

中国专利 :CN100533793C ,2007-12-05

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