半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480042758.X

申请日：

2014-07-25

公开(公告)号：

CN105453277B

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

井上振一郎溜直树

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101657713511 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:201480042758X 申请日:20140725
2018-01-30	授权	授权
2016-03-30	公开	公开
2017-07-14	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:申请人变更前权利人:株式会社德山变更后权利人:斯坦雷电气株式会社号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101755181822 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:201480042758X 登记生效日:20170626 变更事项:申请人变更前权利人:国立研究开发法人情报通信研究机构变更后权利人:国立研究开发法人情报通信研究机构变更事项:地址

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

铃木真理子 ;

小野富男 ;

酒井忠司 ;

佐久间尚志 ;

吉田博昭 .

中国专利 :CN1941438A ,2007-04-04

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

鹿岛行雄 ;

松浦惠里子 ;

小久保光典 ;

田代贵晴 ;

大川贵史 ;

平山秀树 ;

尹成圆 ;

高木秀树 ;

上村隆一郎 ;

长田大和 ;

岛谷聪 .

中国专利 :CN105283968A ,2016-01-27

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

相原正巳 .

中国专利 :CN101449399A ,2009-06-03

[4]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边信幸 ;

井口缘 ;

村上哲朗 .

中国专利 :CN1909259A ,2007-02-07

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

黄钟日 ;

胜野弘 .

中国专利 :CN105990474A ,2016-10-05

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

全水根 ;

金太贤 ;

金太进 ;

朴俊阐 ;

金柄摄 ;

金钟源 ;

朴基万 .

中国专利 :CN106415859B ,2017-02-15

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木下嘉将 ;

龟井英德 .

中国专利 :CN101473457A ,2009-07-01

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN103078026A ,2013-05-01

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