半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610141243.2

申请日：

2006-09-29

公开(公告)号：

CN1941438A

公开(公告)日：

2007-04-04

发明(设计)人：

铃木真理子小野富男酒井忠司佐久间尚志吉田博昭

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

李峥;于静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-09	授权	授权
2007-04-04	公开	公开
2018-10-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20180912 变更事项:专利权人变更前权利人:东芝电子元件及存储装置株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:韩国京畿道
2018-07-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20180709 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝电子元件及存储装置株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2007-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

井上振一郎 ;

溜直树 .

中国专利 :CN105453277B ,2016-03-30

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

相原正巳 .

中国专利 :CN101449399A ,2009-06-03

[3]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边信幸 ;

井口缘 ;

村上哲朗 .

中国专利 :CN1909259A ,2007-02-07

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

黄钟日 ;

胜野弘 .

中国专利 :CN105990474A ,2016-10-05

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

全水根 ;

金太贤 ;

金太进 ;

朴俊阐 ;

金柄摄 ;

金钟源 ;

朴基万 .

中国专利 :CN106415859B ,2017-02-15

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木下嘉将 ;

龟井英德 .

中国专利 :CN101473457A ,2009-07-01

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN103078026A ,2013-05-01

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

井口缘 ;

渡边信幸 ;

村上哲朗 ;

智者多永子 .

中国专利 :CN100533793C ,2007-12-05

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