半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580029434.7

申请日：

2015-06-03

公开(公告)号：

CN106415859B

公开(公告)日：

2017-02-15

发明(设计)人：

全水根金太贤金太进朴俊阐金柄摄金钟源朴基万

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3310

IPC分类号：

H01L3336

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

李辉;金玲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-25	授权	授权
2017-02-15	公开	公开
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101707271478 IPC(主分类):H01L 33/10 专利申请号:2015800294347 申请日:20150603

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

全水根 ;

金炅珉 ;

朴恩铉 ;

曹永琯 ;

郑桂月 ;

郑东昭 ;

百成皓 ;

朴应锡 ;

李慧智 .

中国专利 :CN109196667A ,2019-01-11

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

曾炜竣 ;

彭康伟 ;

林素慧 ;

江宾 ;

曾明俊 ;

黄敏 .

中国专利 :CN113261119A ,2021-08-13

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

吉英运 ;

全水根 .

中国专利 :CN111656542A ,2020-09-11

[4]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

井上振一郎 ;

溜直树 .

中国专利 :CN105453277B ,2016-03-30

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边信幸 ;

井口缘 ;

村上哲朗 .

中国专利 :CN1909259A ,2007-02-07

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

黄钟日 ;

胜野弘 .

中国专利 :CN105990474A ,2016-10-05

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木下嘉将 ;

龟井英德 .

中国专利 :CN101473457A ,2009-07-01

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

铃木真理子 ;

小野富男 ;

酒井忠司 ;

佐久间尚志 ;

吉田博昭 .

中国专利 :CN1941438A ,2007-04-04

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