半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202180001695.3

申请日：

2021-02-20

公开(公告)号：

CN113261119A

公开(公告)日：

2021-08-13

发明(设计)人：

曾炜竣彭康伟林素慧江宾曾明俊黄敏

申请人：

申请人地址：

361100 福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3344 H01L3340 H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20210220
2021-08-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

全水根 ;

金太贤 ;

金太进 ;

朴俊阐 ;

金柄摄 ;

金钟源 ;

朴基万 .

中国专利 :CN106415859B ,2017-02-15

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

全水根 ;

金炅珉 ;

朴恩铉 ;

曹永琯 ;

郑桂月 ;

郑东昭 ;

百成皓 ;

朴应锡 ;

李慧智 .

中国专利 :CN109196667A ,2019-01-11

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

吉英运 ;

全水根 .

中国专利 :CN111656542A ,2020-09-11

[4]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

井上振一郎 ;

溜直树 .

中国专利 :CN105453277B ,2016-03-30

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边信幸 ;

井口缘 ;

村上哲朗 .

中国专利 :CN1909259A ,2007-02-07

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

高尾将和 ;

酒井光彦 ;

中田俊次 .

中国专利 :CN101681970A ,2010-03-24

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

黄钟日 ;

胜野弘 .

中国专利 :CN105990474A ,2016-10-05

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木下嘉将 ;

龟井英德 .

中国专利 :CN101473457A ,2009-07-01

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

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