半导体发光元件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210385860.2
申请日
2012-10-11
公开(公告)号
CN103078026A
公开(公告)日
2013-05-01
发明(设计)人
梁秉文
申请人
申请人地址
314300 浙江省杭州市海盐县盐北路211号科创园西区1号楼3楼
IPC主分类号
H01L3314
IPC分类号
H01L3300
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
王宏婧
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P]. 
平尾直树 .
中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17
[2]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
井上振一郎 ;
溜直树 .
中国专利 :CN105453277B ,2016-03-30
[3]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
渡边信幸 ;
井口缘 ;
村上哲朗 .
中国专利 :CN1909259A ,2007-02-07
[4]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
黄钟日 ;
胜野弘 .
中国专利 :CN105990474A ,2016-10-05
[5]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
全水根 ;
金太贤 ;
金太进 ;
朴俊阐 ;
金柄摄 ;
金钟源 ;
朴基万 .
中国专利 :CN106415859B ,2017-02-15
[6]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
木下嘉将 ;
龟井英德 .
中国专利 :CN101473457A ,2009-07-01
[7]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
木村重哉 ;
名古肇 ;
布上真也 .
中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10
[8]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
铃木真理子 ;
小野富男 ;
酒井忠司 ;
佐久间尚志 ;
吉田博昭 .
中国专利 :CN1941438A ,2007-04-04
[9]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
井口缘 ;
渡边信幸 ;
村上哲朗 ;
智者多永子 .
中国专利 :CN100533793C ,2007-12-05
[10]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
萩野裕幸 ;
大野启 ;
山中一彦 ;
长尾宣明 ;
滨田贵裕 .
中国专利 :CN102365796A ,2012-02-29