半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710128255.6

申请日：

2007-04-28

公开(公告)号：

CN100533793C

公开(公告)日：

2007-12-05

发明(设计)人：

井口缘渡边信幸村上哲朗智者多永子

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

葛青

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-26	授权	授权
2017-06-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101727758699 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2007101282556 申请日:20070428 授权公告日:20090826 终止日期:20160428
2008-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-12-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

井上振一郎 ;

溜直树 .

中国专利 :CN105453277B ,2016-03-30

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边信幸 ;

井口缘 ;

村上哲朗 .

中国专利 :CN1909259A ,2007-02-07

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

黄钟日 ;

胜野弘 .

中国专利 :CN105990474A ,2016-10-05

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

全水根 ;

金太贤 ;

金太进 ;

朴俊阐 ;

金柄摄 ;

金钟源 ;

朴基万 .

中国专利 :CN106415859B ,2017-02-15

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木下嘉将 ;

龟井英德 .

中国专利 :CN101473457A ,2009-07-01

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

铃木真理子 ;

小野富男 ;

酒井忠司 ;

佐久间尚志 ;

吉田博昭 .

中国专利 :CN1941438A ,2007-04-04

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN103078026A ,2013-05-01

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

三木聪 ;

胜野弘 ;

田岛纯平 .

中国专利 :CN105098010A ,2015-11-25

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