半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080009947.9

申请日：

2010-11-24

公开(公告)号：

CN102365796A

公开(公告)日：

2012-02-29

发明(设计)人：

萩野裕幸大野启山中一彦长尾宣明滨田贵裕

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S522

IPC分类号：

H01L3314 H01L3334 H01S5343

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101687701411 IPC(主分类):H01S 5/22 专利申请号:2010800099479 申请公布日:20120229
2012-02-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

大塚康二 ;

佐藤雅裕 .

中国专利 :CN1622350A ,2005-06-01

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

折田贤儿 .

中国专利 :CN102804416A ,2012-11-28

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

长尾阳二 .

日本专利 :CN120391021A ,2025-07-29

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

名古肇 ;

木村重哉 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103915531A ,2014-07-09

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

安杖尚美 ;

菅原岳 ;

长谷川義晃 ;

石桥明彦 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101496236A ,2009-07-29

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN103078026A ,2013-05-01

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

折田贤儿 .

中国专利 :CN1538537A ,2004-10-20

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 .

中国专利 :CN103682026B ,2014-03-26

[10]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

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