半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480005412.6

申请日：

2024-04-24

公开(公告)号：

CN120391021A

公开(公告)日：

2025-07-29

发明(设计)人：

长尾阳二

申请人：

日亚化学工业株式会社

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01S5/32

IPC分类号：

H10H20/81 H01S5/343

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

曲天佐

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

大塚康二 ;

佐藤雅裕 .

中国专利 :CN1622350A ,2005-06-01

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

折田贤儿 .

中国专利 :CN102804416A ,2012-11-28

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

萩野裕幸 ;

大野启 ;

山中一彦 ;

长尾宣明 ;

滨田贵裕 .

中国专利 :CN102365796A ,2012-02-29

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

名古肇 ;

木村重哉 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103915531A ,2014-07-09

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

安杖尚美 ;

菅原岳 ;

长谷川義晃 ;

石桥明彦 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101496236A ,2009-07-29

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 .

中国专利 :CN103682026B ,2014-03-26

[8]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[9]

半导体发光元件及其制造方法以及半导体发光装置 [P].

冈崎治彦 ;

菅原秀人 .

中国专利 :CN100459183C ,2005-03-09

[10]

半导体元件及其制造方法 [P].

市原隆志 ;

三贺大辅 ;

楠濑健 ;

山田孝夫 .

中国专利 :CN1883058A ,2006-12-20

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