半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480034097.2

申请日：

2004-11-15

公开(公告)号：

CN1883058A

公开(公告)日：

2006-12-20

发明(设计)人：

市原隆志三贺大辅楠濑健山田孝夫

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

陈英俊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-04	授权	授权
2007-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-12-20	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

长尾阳二 .

日本专利 :CN120391021A ,2025-07-29

[4]

氮化物半导体元件及其制造方法及半导体层的制造方法 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN102005523A ,2011-04-06

[5]

半导体元件及其制造方法 [P].

古川拓也 ;

加藤祯宏 ;

岩见正之 ;

内海诚 ;

梅野和行 .

中国专利 :CN103430295A ,2013-12-04

[6]

半导体元件及其制造方法 [P].

神川刚 .

中国专利 :CN101615764B ,2009-12-30

[7]

半导体元件、半导体器件及其制造方法 [P].

神川刚 .

中国专利 :CN1707891A ,2005-12-14

[8]

氮化物半导体发光元件及其制造方法 [P].

川口浩史 ;

米田章法 ;

土井博志 .

中国专利 :CN102770975B ,2012-11-07

[9]

半导体元件的制造方法 [P].

西影治彦 ;

宫本佳典 ;

细川泰伸 .

日本专利 :CN111628054B ,2024-12-03

[10]

半导体元件的制造方法 [P].

西影治彦 ;

宫本佳典 ;

细川泰伸 .

中国专利 :CN111628054A ,2020-09-04

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