半导体元件、半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510076167.7

申请日：

2005-06-08

公开(公告)号：

CN1707891A

公开(公告)日：

2005-12-14

发明(设计)人：

神川刚

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S5323 H01S522 H01L21205 H01L3300

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01S 5/343 登记生效日:20220401 变更事项:专利权人变更前权利人:夏普株式会社变更后权利人:夏普福山激光株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本广岛县福山市大门町旭1番地
2006-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-08-26	授权	授权
2005-12-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法 [P].

神川刚 .

中国专利 :CN101615764B ,2009-12-30

[2]

半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法 [P].

东和司 ;

塚原法人 ;

米泽隆弘 ;

八木能彦 ;

北山喜文 ;

大谷博之 .

中国专利 :CN1549305A ,2004-11-24

[3]

半导体元件基板及其制造方法、半导体器件 [P].

户田顺子 ;

马庭进 ;

塚本健人 .

中国专利 :CN102362345A ,2012-02-22

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

神川刚 ;

山田英司 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN1697273A ,2005-11-16

[5]

半导体元件及其制造方法，和半导体器件及其制造方法 [P].

西山知宏 ;

田子雅基 .

中国专利 :CN1437256A ,2003-08-20

[6]

半导体保护元件、半导体器件及其制造方法 [P].

入野仁 .

中国专利 :CN1531083A ,2004-09-22

[7]

半导体元件安装板及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

东田隆亮 ;

熊谷浩一 ;

松尾隆广 .

中国专利 :CN1182283A ,1998-05-20

[8]

半导体元件的选取方法、半导体器件及其制造方法 [P].

金野吉人 ;

山田豊 .

中国专利 :CN101765910B ,2010-06-30

[9]

半导体元件及其制造方法 [P].

市原隆志 ;

三贺大辅 ;

楠濑健 ;

山田孝夫 .

中国专利 :CN1883058A ,2006-12-20

[10]

半导体衬底、半导体元件及其制造方法 [P].

高桥邦方 ;

内田正雄 ;

北畠真 ;

横川俊哉 ;

楠本修 ;

山下贤哉 ;

宫永良子 .

中国专利 :CN1260776C ,2003-04-30

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