半导体保护元件、半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200410028496.X
申请日
2004-03-12
公开(公告)号
CN1531083A
公开(公告)日
2004-09-22
发明(设计)人
入野仁
申请人
申请人地址
日本神奈川
IPC主分类号
H01L2360
IPC分类号
H01L2978
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
穆德骏;陆弋
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体元件、半导体器件及其制造方法 [P]. 
神川刚 .
中国专利 :CN1707891A ,2005-12-14
[2]
半导体器件制造方法及其半导体器件 [P]. 
杉井信之 ;
中川清和 ;
山口伸也 ;
宫尾正信 .
中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04
[3]
半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法 [P]. 
东和司 ;
塚原法人 ;
米泽隆弘 ;
八木能彦 ;
北山喜文 ;
大谷博之 .
中国专利 :CN1549305A ,2004-11-24
[4]
半导体元件基板及其制造方法、半导体器件 [P]. 
户田顺子 ;
马庭进 ;
塚本健人 .
中国专利 :CN102362345A ,2012-02-22
[5]
半导体元件的选取方法、半导体器件及其制造方法 [P]. 
金野吉人 ;
山田豊 .
中国专利 :CN101765910B ,2010-06-30
[6]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110880473B ,2025-02-25
[7]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110880473A ,2020-03-13
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
吴珑虎 .
中国专利 :CN101192541A ,2008-06-04
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
安武信昭 .
中国专利 :CN1870295A ,2006-11-29
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
饭沼俊彦 .
中国专利 :CN1472820A ,2004-02-04