半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780028446.3

申请日：

2007-07-13

公开(公告)号：

CN101496236A

公开(公告)日：

2009-07-29

发明(设计)人：

安杖尚美菅原岳长谷川義晃石桥明彦横川俊哉

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5042

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-29	公开	公开
2009-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-09-11	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101517129136 IPC(主分类):H01S 5/042 专利申请号:2007800284463 放弃生效日:20090729

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

大塚康二 ;

佐藤雅裕 .

中国专利 :CN1622350A ,2005-06-01

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

折田贤儿 .

中国专利 :CN102804416A ,2012-11-28

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

萩野裕幸 ;

大野启 ;

山中一彦 ;

长尾宣明 ;

滨田贵裕 .

中国专利 :CN102365796A ,2012-02-29

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

长尾阳二 .

日本专利 :CN120391021A ,2025-07-29

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

名古肇 ;

木村重哉 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103915531A ,2014-07-09

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

折田贤儿 .

中国专利 :CN1538537A ,2004-10-20

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 .

中国专利 :CN103682026B ,2014-03-26

[9]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[10]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

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