半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310741264.8

申请日：

2013-12-27

公开(公告)号：

CN103915531A

公开(公告)日：

2014-07-09

发明(设计)人：

名古肇木村重哉原田佳幸布上真也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

冯玉清

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584240352 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2013107412648 申请日:20131227
2014-07-09	公开	公开
2017-04-19	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101714358269 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2013107412648 放弃生效日:20170419

共 50 条

[1]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

大塚康二 ;

佐藤雅裕 .

中国专利 :CN1622350A ,2005-06-01

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

折田贤儿 .

中国专利 :CN102804416A ,2012-11-28

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

萩野裕幸 ;

大野启 ;

山中一彦 ;

长尾宣明 ;

滨田贵裕 .

中国专利 :CN102365796A ,2012-02-29

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

尺田幸男 .

中国专利 :CN101479861B ,2009-07-08

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

长尾阳二 .

日本专利 :CN120391021A ,2025-07-29

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

月原政志 ;

中村薰 .

中国专利 :CN105849918A ,2016-08-10

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

武田四郎 ;

室伏仁 .

中国专利 :CN100420046C ,2005-05-25

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

加藤隆志 ;

松尾哲二 .

中国专利 :CN1770489A ,2006-05-10

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